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沟槽型VDMOS的重离子辐射失效研究
文献摘要：
空间辐射环境中含有各种高能带电粒子,高能带电粒子与电子器件相互作用可能引发单粒子效应(SEE),单粒子效应中单粒子烧毁(SEB)和单粒子栅穿(SEGR)是两种最主要的单粒子事件.对重离子环境下的器件退化和失效进行了研究,分析了重离子环境下的失效机理,提出了重离子条件下的器件改善结构,同时完成了仿真和重离子实验验证,提升了MOSFET抗重离子能力.
文献关键词：
功率晶体管;沟槽型VDMOS;MOSFET;单粒子烧毁;单粒子栅穿
中图分类号：
作者姓名：
廖聪湘;徐海铭
作者机构：
中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡 214072
文献出处：
引用格式：
[1]廖聪湘;徐海铭-.沟槽型VDMOS的重离子辐射失效研究)[J].电子与封装,2022(08):70-73
A类：
单粒子栅穿,SEGR
B类：
沟槽,槽型,VDMOS,重离子,失效研究,空间辐射环境,带电粒子,电子器件,发单,单粒子效应,SEE,单粒子烧毁,SEB,子环,失效机理,子实,MOSFET,功率晶体管
AB值：
0.303666
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