典型文献
17～21GHz6bit高精度数字移相器的设计
文献摘要：
采用0.15 μmGaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一款17～21GHz 6 bit高精度数字移相器.该移相器5.625°移相单元采用嵌入式LC拓扑结构,11.25°和22.5°移相单元采用嵌入式全通网络拓扑结构,45°、90°和180°移相单元采用开关选择型多阶高、低通网络拓扑结构;驱动单元采用直接耦合场效应晶体管逻辑(DCFL)结构.测试结果表明,在17～21GHz工作频率内,该移相器插入损耗的绝对值小于8.5 dB,均方根相位误差(RMS)值小于1.8°,移相寄生调幅在-0.8 dB和0.6 dB之间,电压驻波比(VSWR)小于1.5.
文献关键词：
数字移相器;GaAs;赝配高电子迁移率晶体管;高精度
中图分类号：
作者姓名：
蒋乐;王坤;周宏健;周睿涛;李光超
作者机构：
中科芯集成电路有限公司,江苏无锡 214072
文献出处：
引用格式：
[1]蒋乐;王坤;周宏健;周睿涛;李光超-.17～21GHz6bit高精度数字移相器的设计)[J].电子与封装,2022(12):40-45
A类：
21GHz6bit,mGaAs,21GHz,全通网络,DCFL
B类：
数字移相器,赝配高电子迁移率晶体管,PHEMT,LC,网络拓扑结构,多阶,驱动单元,直接耦合,耦合场,场效应晶体管,工作频率,插入损耗,dB,相位误差,RMS,寄生调幅,电压驻波比,VSWR
AB值：
0.208606
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