典型文献
可变高应力氮化硅薄膜的内应力研究
文献摘要：
以互补金属氧化物半导体(CMOS)器件等比例缩小为动力的硅集成电路技术已迈入纳米级尺寸,并将继续保持对摩尔定律的追求,进一步缩小器件尺寸,以满足芯片高度集成化的要求.目前基于CMOS工艺的应变硅技术受到越来越广泛的应用.氮化硅致应变技术是属于应变硅技术中的一种,该技术工艺流程相对简单,成本较低,仅通过在器件上淀积不同应力的氮化硅薄膜就可达到提高载流子迁移率的效果,因此应用越来越普遍.利用等离子体增强化学气象沉积(PECVD)的氮化硅膜,通过适当的工艺条件,可以做到压应力和张应力两种应力的变换,最终可实现在硅片上淀积出应力大于2 GPa的高应力氮化硅膜.
文献关键词：
应变硅;氮化硅;压应力;张应力
中图分类号：
作者姓名：
孙建洁;张可可;陈全胜
作者机构：
无锡中微晶园电子有限公司,江苏无锡214035
文献出处：
引用格式：
[1]孙建洁;张可可;陈全胜-.可变高应力氮化硅薄膜的内应力研究)[J].电子与封装,2022(07):53-56
A类：
应变硅
B类：
高应力,氮化硅薄膜,内应力,互补金属氧化物半导体,CMOS,等比例,集成电路,纳米级,续保,摩尔定律,小器,高度集成,集成化,应变技术,技术工艺,高载流,载流子迁移率,PECVD,工艺条件,压应力,张应力,硅片,GPa
AB值：
0.309712
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