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太赫兹InP DHBT器件研究
文献摘要：
InP DHBT器件具有优异的高频特性、良好的散热、击穿和噪声性能,是实现超高频、低噪声功率放大电路设计的最具性能优势的器件之一.文中简要介绍和分析了影响高频器件电性能参数的主要因素,优化了材料结构和版图设计,最终采用三台面湿法化学腐蚀工艺、自终止工艺、自对准光刻工艺和空气桥工艺等加工工艺研制得到发射极线宽0.7 μm的InP DHBT器件,并配套集成了平行板电容和金属薄膜电阻,片内器件一致性良好.不断缩小器件基区台面面积,器件电性能最终实现:最大直流增益β为30,10μA下的集电极-发射极击穿电压BVCEO为3.2 V,截止频率fT为358 GHz,最大振荡频率fmax为407 GHz.测试结果表明,该器件可应用于220 GHz放大器、100 GHz以下压控振荡器等数模混合集成电路.
文献关键词：
磷化铟双异质结双极型晶体管;制造工艺;高频器件;空气桥
中图分类号：
作者姓名：
陈卓;何庆国;崔雍;周国
作者机构：
中国电子科技集团公司第十三研究所,石家庄050051
文献出处：
引用格式：
[1]陈卓;何庆国;崔雍;周国-.太赫兹InP DHBT器件研究)[J].微波学报,2022(02):76-79,85
A类：
高频器件,BVCEO,磷化铟双异质结双极型晶体管
B类：
太赫兹,InP,DHBT,高频特性,散热,噪声性能,超高频,低噪声,噪声功率,功率放大电路,电路设计,性能优势,电性能参数,版图设计,三台,台面,湿法,化学腐蚀,腐蚀工艺,自终止,对准,光刻工艺,空气桥,加工工艺,发射极,极线,线宽,平行板,金属薄膜,薄膜电阻,小器,基区,大直,直流增益,集电极,击穿电压,截止频率,fT,GHz,最大振荡频率,fmax,放大器,下压,压控振荡器,数模混合,混合集成电路,制造工艺
AB值：
0.427339
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