典型文献
空间用GaN功率器件单粒子烧毁效应激光定量模拟技术研究
文献摘要：
利用飞秒脉冲激光对氮化镓(GaN)功率器件进行单粒子烧毁效应定量评估技术研究,针对器件结构建立脉冲激光有效能量传输模型,理论计算了激光有效能量与重离子线性能量传输(LET)的等效关系并开展了试验验证.考虑器件材料反射率与吸收系数对激光的影响,针对介质层界面间的激光多次反射进行参数修正,减小有源区有效能量计算误差.选择一款氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMT)与一款肖特基势垒二极管(SBD)功率器件作为典型案例,分别开展飞秒脉冲激光正面与背部辐照试验,计算诱发单粒子烧毁的有效能量,并得到不同入射激光波长的烧毁等效LET阈值,对比了模型理论计算值与实际测量值.同时,研究结果对材料参数未知的GaN功率器件,提供了正面与背部辐照模型的激光试验波长选择参考.该工作将为激光定量评估空间用GaN等宽禁带半导体器件的单粒子烧毁效应机理研究及加固设计与验证提供技术支撑.
文献关键词：
氮化镓功率器件;飞秒脉冲激光;单粒子烧毁效应;等效LET值
中图分类号：
作者姓名：
崔艺馨;马英起;上官士鹏;康玄武;刘鹏程;韩建伟
作者机构：
空间天气学国家重点实验室,中国科学院国家空间科学中心, 北京 100190;中国科学院大学天文与空间科学学院, 北京 100049;中国科学院微电子研究所, 北京 100029
文献出处：
引用格式：
[1]崔艺馨;马英起;上官士鹏;康玄武;刘鹏程;韩建伟-.空间用GaN功率器件单粒子烧毁效应激光定量模拟技术研究)[J].物理学报,2022(13):301-310
A类：
单粒子烧毁效应
B类：
GaN,定量模拟,模拟技术,飞秒脉冲激光,定量评估,评估技术,器件结构,有效能,能量传输,传输模型,重离子,LET,等效关系,反射率,吸收系数,多次反射,射进,参数修正,有源,源区,能量计算,计算误差,氮化镓高电子迁移率晶体管,HEMT,肖特基势垒二极管,SBD,背部,辐照试验,发单,入射,激光波长,理论计算值,测量值,材料参数,波长选择,宽禁带半导体,半导体器件,效应机理,加固设计,设计与验证,氮化镓功率器件
AB值：
0.272858
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