典型文献
ReSe2/WSe2记忆晶体管的光电调控和阻变特性
文献摘要：
记忆晶体管是结合了忆阻器和场效应晶体管特点的多端口器件.二维过渡金属硫化物拥有独特的电子结构和性质,在电子器件、能源转化、存储器等领域都有广泛的应用.本文以二维金属硫化物为基础,制备了ReSe2/WSe2双p型的范德瓦耳斯异质结记忆晶体管,探究其在电控、光控以及光电协控下的阻变特性变化.结果表明:栅压是调控记忆晶体管性能的重要手段,可有效地调控开关比在101—105之间变化;不同波长光照或者光功率密度的变化可以实现记忆晶体管高低阻态和开关比的调控;而且,光电协控也可使器件开关比在102—105范围内变化,并分析了不同调控条件下器件阻态变化的原因.此外,在经历了225次循环和1.9×104 s时间后,ReSe2/WSe2异质结构记忆晶体管仍能保持接近104的开关比,表明器件有良好的稳定性和耐久性,将是一种很有发展潜力的下一代非易失性存储器.
文献关键词：
ReSe2/WSe2;记忆晶体管;栅控;光控
中图分类号：
作者姓名：
余雪玲;陈凤翔;相韬;邓文;刘嘉宁;汪礼胜
作者机构：
武汉理工大学理学院物理科学与技术系,武汉 430070
文献出处：
引用格式：
[1]余雪玲;陈凤翔;相韬;邓文;刘嘉宁;汪礼胜-.ReSe2/WSe2记忆晶体管的光电调控和阻变特性)[J].物理学报,2022(21):283-292
A类：
ReSe2,记忆晶体管
B类：
WSe2,光电调控,阻变特性,忆阻器,场效应晶体管,多端口,口器,二维过渡金属,过渡金属硫化物,电子结构,电子器件,能源转化,范德瓦耳斯异质结,电控,光控,开关比,光功率,功率密度,低阻,同调,异质结构,明器,耐久性,下一代,非易失性存储器,栅控
AB值：
0.278992
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