典型文献
非极性a面n-AlGaN外延层的生长与表征
文献摘要：
采用金属有机化学气相沉积技术,在半极性蓝宝石衬底上成功生长了具有高电子浓度和良好表面形貌的Si掺杂的非极性a面n-AlGaN外延层.深入研究了铟(In)表面活性剂和无掺杂的AlGaN缓冲层对n-AlGaN的结构特征和电学性能的影响.表征结果表明,利用In表面活性剂和无掺杂的AlGaN缓冲层,非极性a面n-AlGaN外延层的晶体质量的各向异性被有效地抑制,同时显著改善了其表面形貌和电学性能.测得非极性a面n-AlGaN的电子浓度及电子迁移率分别为-4.8×1017 cm-3和 3.42 cm2/(V·s).
文献关键词：
非极性a面n-AlGaN;表面活性剂;AlGaN缓冲层;电学性能
中图分类号：
作者姓名：
房瑞庭;陈帅;张雄;崔一平
作者机构：
东南大学先进光子学中心,南京210096
文献出处：
引用格式：
[1]房瑞庭;陈帅;张雄;崔一平-.非极性a面n-AlGaN外延层的生长与表征)[J].半导体光电,2022(03):461-465
A类：
B类：
AlGaN,外延层,金属有机化学气相沉积,沉积技术,蓝宝石衬底,上成,电子浓度,表面形貌,Si,In,表面活性剂,缓冲层,电学性能,晶体质量,各向异性,电子迁移率
AB值：
0.249513
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