典型文献
量子垒高度对深紫外LED调制带宽的影响
文献摘要：
AlGaN基深紫外LED由于具有高调制带宽和小芯片尺寸,在紫外光通信领域受到越来越多的关注.本研究通过改变生长AlGaN量子垒层的Al源流量,生长了三种具有不同量子垒高度的深紫外LED,研究了量子垒高度对深紫外LED光电特性和调制特性的影响.研究发现,随着量子垒高度的增加,深紫外LED的光功率出现先增加后减小的趋势,量子垒中Al组分为55％的深紫外LED的光功率相比50％和60％的深紫外LED提升了近一倍.载流子寿命则出现先减小后增大的趋势,且发光峰峰值波长逐渐蓝移.APSYS模拟表明,随着量子垒高度增加,量子垒对载流子的束缚能力增强,电子空穴波函数空间重叠增加,载流子浓度和辐射复合速率增加;但进一步增加量子垒高度又会由于电子泄露,空穴浓度降低,从而辐射复合速率降低.量子垒中Al组分为55％的深紫外LED的-3 dB带宽达到94.4 MHz,高于量子垒Al组分为50％和60％的深紫外LED.
文献关键词：
紫外光通信;深紫外发光二极管;多量子阱层;调制带宽;发光功率
中图分类号：
作者姓名：
郭亮;郭亚楠;羊建坤;闫建昌;王军喜;魏同波
作者机构：
中国科学院半导体研究所 半导体照明研发中心, 北京 100083;中国科学院大学 材料与光电研究中心, 北京 100049
文献出处：
引用格式：
[1]郭亮;郭亚楠;羊建坤;闫建昌;王军喜;魏同波-.量子垒高度对深紫外LED调制带宽的影响)[J].发光学报,2022(01):1-7
A类：
APSYS,多量子阱层
B类：
LED,调制带宽,AlGaN,高调,小芯片,芯片尺寸,紫外光通信,通信领域,不同量,光电特性,调制特性,一倍,载流子寿命,先减,峰峰,蓝移,束缚能,波函数,函数空间,空间重叠,载流子浓度,复合速率,增加量,电子泄露,空穴浓度,dB,MHz,深紫外发光二极管,发光功率
AB值：
0.279043
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
