典型文献
高厚度n型β-Ga2O3薄膜的MOCVD制备
文献摘要：
高厚度的Ga2 O3薄膜能够提高器件的击穿电压,这种高厚度Ga2 O3薄膜往往是通过HVPE法制备的.然而HVPE法存在着成本高、设备少等缺点.本文通过金属有机化学气相沉积(MOCVD)工艺,以SiH4为n型掺杂源,在Ga2 O3衬底上生长了高厚度的n型β-Ga2 O3薄膜,并且研究了SiH4流量对β-Ga2 O3性质的影响.实验中制备的β-Ga2 O3薄膜厚度达到4.15μm.薄膜的晶体质量高,表面致密光滑且呈现台阶流生长模式.随着SiH4流量增加,晶体质量逐渐降低,电子浓度显著增加,电子迁移率降低.目前,高厚度β-Ga2 O3薄膜的电子浓度可以在3.6×1016～5.3×1018 cm-3范围内调控;当薄膜电子浓度为3.6×1016 cm-3时,其电子迁移率可达137 cm2?V-1?s-1.本文论证了MOCVD工艺进行高厚度n型β-Ga2 O3薄膜生长的可行性,这也为β-Ga2 O3基垂直结构功率器件的制备提供了一种新途径.
文献关键词：
氧化镓;金属有机化学气相沉积(MOCVD);高厚度薄膜
中图分类号：
作者姓名：
李政达;焦腾;董鑫;刁肇悌;陈威
作者机构：
吉林大学 电子科学与工程学院,集成光电子学国家重点联合实验室, 吉林 长春 130012
文献出处：
引用格式：
[1]李政达;焦腾;董鑫;刁肇悌;陈威-.高厚度n型β-Ga2O3薄膜的MOCVD制备)[J].发光学报,2022(04):545-551
A类：
高厚度薄膜
B类：
Ga2O3,MOCVD,击穿电压,HVPE,金属有机化学气相沉积,SiH4,衬底,上生,薄膜厚度,晶体质量,生长模式,电子浓度,电子迁移率,内调,文论,薄膜生长,垂直结构,功率器件,氧化镓
AB值：
0.236034
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