典型文献
高真空磁控溅射温度对Ga2O3微观结构及光学性能的影响
文献摘要：
采用高真空射频磁控溅射法在硅Si(111)衬底上沉积氧化镓(β?Ga2O3),开展了溅射温度对Ga2O3微观结构及光学性能影响的研究,利用X射线衍射、扫描电子显微镜、荧光光谱仪等测试手段对Ga2O3晶体结构、表面形貌及光学性能进行表征分析.实验结果表明,在高纯Ar气环境下,所沉积的Ga2O3形貌差异与不同溅射温度下Ga2O3生长机理有关,当溅射温度达到300℃时,Ga2O3发生热分解,形成金属Ga团簇;当溅射温度达到400℃时,金属Ga团簇作为催化剂触发Ga2O3纳米线的自催化生长.光致发光(PL)光谱中,Ga2O3样品在300～700 nm波长范围内显示出4个位于紫光、蓝光、绿光区域的发射峰,在溅射温度为400℃下形成的Ga2O3纳米线发射峰显著增强,并且发生轻微的蓝移,纳米结构中较大的比表面积以及量子尺寸效应对Ga2O3的荧光发射(PL)性能具有重要影响.拉曼光谱(Raman)显示,随着溅射温度升高,Ga2O3晶体质量有所提高;在溅射温度为400℃下形成的纳米线出现新的拉曼振动模式,并且发生18 cm-1的蓝移.
文献关键词：
射频磁控溅射;Ga2O3;结构性能;光学性能
中图分类号：
作者姓名：
赵晶晶;刘丽华;秦彬皓;王海燕;杨为家
作者机构：
五邑大学 应用物理与材料学院,广东 江门 529020;广东省科学院 中乌焊接研究所,广东 广州 510651
文献出处：
引用格式：
[1]赵晶晶;刘丽华;秦彬皓;王海燕;杨为家-.高真空磁控溅射温度对Ga2O3微观结构及光学性能的影响)[J].发光学报,2022(08):1236-1243
A类：
B类：
高真空,溅射温度,Ga2O3,光学性能,空射,射频磁控溅射,磁控溅射法,Si,衬底,氧化镓,荧光光谱,光谱仪,试手,晶体结构,表面形貌,表征分析,高纯,Ar,生长机理,生热,热分解,团簇,纳米线,光致发光,PL,个位,紫光,蓝光,绿光,蓝移,纳米结构,比表面积,尺寸效应,荧光发射,拉曼光谱,Raman,晶体质量,拉曼振动,振动模式,结构性能
AB值：
0.29505
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