典型文献
基于MOCVD三步生长的GaAs/Si外延技术
文献摘要：
在硅(Si)上外延生长高质量的砷化镓(GaAs)薄膜是实现硅基光源单片集成的关键因素.但是,Si材料与GaAs材料之间较大的晶格失配、热失配等问题对获得高质量的GaAs薄膜造成了严重影响.本文利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术开展Si基GaAs生长研究.通过采用三步生长法,运用低温成核层、高温GaAs层与循环热退火等结合的方式,进一步降低Si基GaAs材料的表面粗糙度和穿透位错密度.并利用X射线衍射(XRD)ω-2θ扫描追踪采用不同方法生长的样品中残余应力的变化.最终,在GaAs低温成核层生长时间62 min(生长厚度约25 nm)时,采用三步生长、循环热退火等结合的方式获得GaAs(004)XRD摇摆曲线峰值半高宽(FWHM)为401″、缺陷密度为6.8×107 cm-2、5μm×5μm区域表面粗糙度为6.71 nm的GaAs外延材料,在材料中表现出张应力.
文献关键词：
金属有机化学气相沉积;砷化镓;硅;异质外延
中图分类号：
作者姓名：
王嘉宾;王海珠;刘伟超;王曲惠;范杰;邹永刚;马晓辉
作者机构：
长春理工大学 重庆研究院, 重庆 401135;长春理工大学 高功率半导体国家重点实验室, 吉林 长春 130022
文献出处：
引用格式：
[1]王嘉宾;王海珠;刘伟超;王曲惠;范杰;邹永刚;马晓辉-.基于MOCVD三步生长的GaAs/Si外延技术)[J].发光学报,2022(02):153-160
A类：
成核层
B类：
MOCVD,三步,GaAs,Si,外延生长,砷化镓,硅基,光源,单片集成,晶格失配,金属有机化学气相沉积,长法,热退火,表面粗糙度,位错密度,不同方法,残余应力,生长时间,摇摆曲线,曲线峰值,半高宽,FWHM,缺陷密度,张应力,异质外延
AB值：
0.301357
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