典型文献
In0.49Ga0.51P材料有序度对发光特性的影响
文献摘要：
In0.49Ga0.51P材料因与GaAs晶格匹配且具有较宽的能量带隙,在GaAs基短波长激光器和无铝激光器等研究方向上受到了广泛关注.不同领域的应用对In0.49Ga0.51P材料的性能提出了不同的需求,导致In0.49Ga0.51P材料的有序度发生变化,进而导致其发光特性发生改变.本文利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在半绝缘的GaAs衬底上开展In0.49Ga0.51P材料有序度对其发光特性影响的研究.通过改变硅烷(SiH4)和二乙基锌(DEZn)掺杂剂的掺杂流量和Ⅴ/Ⅲ比的方法来改变In0.49Ga0.51P材料的有序度.室温光致发光测试(PL)和低温PL测试结果表明,两种掺杂剂掺杂流量增加都会导致In0.49Ga0.51P有序度降低,从而使InGaP的发光波长蓝移.此外,Ⅴ/Ⅲ比增加会导致In0.49Ga0.51P有序度增加,使样品的发光波长红移.
文献关键词：
金属有机化学气相沉积;铟镓磷/镓砷;光致发光;故意掺杂
中图分类号：
作者姓名：
刘伟超;王海珠;王嘉宾;王曲惠;范杰;邹永刚;马晓辉
作者机构：
长春理工大学 高功率半导体国家重点实验室,吉林 长春 130022;长春理工大学 重庆研究院,重庆 401135
文献出处：
引用格式：
[1]刘伟超;王海珠;王嘉宾;王曲惠;范杰;邹永刚;马晓辉-.In0.49Ga0.51P材料有序度对发光特性的影响)[J].发光学报,2022(06):862-868
A类：
49Ga0,51P,DEZn,故意掺杂
B类：
In0,有序度,发光特性,GaAs,晶格,带隙,短波,激光器,无铝,金属有机化学气相沉积,MOCVD,半绝缘,衬底,硅烷,SiH4,乙基,掺杂剂,室温光致发光,PL,InGaP,光波长,蓝移,红移
AB值：
0.214017
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