典型文献
低反向漏电自支撑衬底AlGaN/GaN肖特基二极管
文献摘要：
氮化镓材料具有大的禁带宽度(3.4 eV)、高的击穿场强(3.3 MV/cm),在高温、高压等方面有良好的应用前景.尤其是对于铝镓氮/氮化镓异质结构材料而言,由极化效应产生的高面密度和高迁移率二维电子气在降低器件导通电阻、提高器件工作效率方面具有极大的优势.由于缺乏高质量、大尺寸的氮化镓单晶衬底,常规氮化镓材料均是在蓝宝石、硅和碳化硅等异质衬底上外延而成.较大的晶格失配和热失配导致异质外延过程中产生密度高达107—1010 cm–2的穿透位错,使器件性能难以进一步提升.本文采用基于自支撑氮化镓衬底的铝镓氮/氮化镓异质结构材料制备凹槽阳极结构肖特基势垒二极管,通过对欧姆接触区域铝镓氮势垒层刻蚀深度的精确控制,依托单步自对准凹槽欧姆接触技术解决了低位错密度自支撑氮化镓材料的低阻欧姆接触技术难题,实现了接触电阻仅为0.37 W·mm的低阻欧姆接触;通过采用慢速低损伤刻蚀技术制备阳极凹槽区域,使器件阳极金属与氮化镓导电沟道直接接触,实现了高达3×107开关比的高性能器件,且器件开启电压仅为0.67 V,425 K高温下,器件反向漏电仅为1.6×10–7 A/mm.实验结果表明,基于自支撑氮化镓衬底的凹槽阳极结构铝镓氮/氮化镓肖特基势垒二极管可以有效抑制器件反向漏电,极大地提升器件电学性能.
文献关键词：
自支撑氮化镓衬底;肖特基势垒二极管;低反向漏电;铝镓氮/氮化镓
中图分类号：
作者姓名：
武鹏;张涛;张进成;郝跃
作者机构：
西安电子科技大学,宽带隙半导体技术国家重点学科实验室,西安 710071
文献出处：
引用格式：
[1]武鹏;张涛;张进成;郝跃-.低反向漏电自支撑衬底AlGaN/GaN肖特基二极管)[J].物理学报,2022(15):299-305
A类：
低反向漏电,自支撑氮化镓衬底
B类：
AlGaN,肖特基二极管,禁带宽度,eV,击穿场强,MV,异质结构,结构材料,极化效应,面密度,高迁移率,二维电子气,导通电阻,大尺寸,单晶衬底,蓝宝石,碳化硅,异质衬底,晶格失配,异质外延,密度高,器件性能,材料制备,凹槽,阳极结构,肖特基势垒二极管,欧姆接触,接触区域,刻蚀深度,精确控制,单步,对准,低位,位错密度,低阻,技术难题,接触电阻,慢速,低损伤,刻蚀技术,沟道,直接接触,开关比,开启电压,抑制器,提升器,电学性能
AB值：
0.284261
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