典型文献
AlxGa1–xN插入层对双沟道n-Al0.3Ga0.7N/GaN/i-AlxGa1–xN/GaN HEMT器件性能的影响
文献摘要：
双沟道AlGaN/GaN HEMT器件在电子限域性、电流运输等方面优于单沟道结构,且能更好地缓解电流崩塌,提高设备的运行能力,在高功率应用中具有重要意义.本文对n-Al0.3Ga0.7N/GaN/i-AlxGa1–xN/GaN结构中的电荷状态以及运输性质进行研究.通过求解一维薛定谔方程和泊松方程,获得其电势、电场和电子分布,分析了双沟道中二维电子气状态与合金无序散射、位错散射的关系.结果表明,在第一沟道中,当AlxGa1–xN的Al组分和厚度提升时,二维电子气密度逐渐减小,合金无序散射的减弱使迁移率增大,位错散射增强致迁移率变小,总迁移率主要由合金无序散射决定.在第二沟道中,当AlxGa1–xN的Al组分和厚度提升时,二维电子气密度随之增大,由于较低的势垒高度以及高渗透电子的作用,第二沟道中的合金无序散射影响更大,合金无序散射迁移率随AlxGa1–xN层的Al组分和厚度的增加而减少且变化趋势逐渐趋于平缓,位错散射作用的减弱导致迁移率的提升.总体上,第一沟道势阱中受到的位错散射低于第二沟道势阱.随着背势垒厚度的增加,第二沟道中主导的散射机制逐渐从位错散射转为合金无序散射.
文献关键词：
双沟道;2 DEG;迁移率
中图分类号：
作者姓名：
蔡静;姚若河;耿魁伟
作者机构：
华南理工大学微电子学院,广州 510640;中新国际联合研究院,广州 510700
文献出处：
引用格式：
[1]蔡静;姚若河;耿魁伟-.AlxGa1–xN插入层对双沟道n-Al0.3Ga0.7N/GaN/i-AlxGa1–xN/GaN HEMT器件性能的影响)[J].物理学报,2022(16):325-334
A类：
合金无序散射
B类：
AlxGa1,xN,插入层,双沟道,Al0,3Ga0,7N,HEMT,器件性能,AlGaN,限域,崩塌,运行能力,高功率,电荷,薛定谔方程,泊松方程,电势,电子分布,中二,二维电子气,位错,气密,迁移率,散射增强,势垒高度,射影,道势,势阱,DEG
AB值：
0.24491
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
