典型文献
Mn3As2掺杂Cd3As2纳米结构的制备及热电性能
文献摘要：
Cd3As2具有高电子迁移率、相对较低的热导率及良好的空气稳定性, 有望应用于热电领域. 本文首先采用高气压烧结技术抑制As元素挥发, 合成了(Cd1–xMnx)3As2 (x = 0, 0.05, 0.1)母合金, 然后通过化学气相沉积蒸发母合金粉末在云母基底上制备了Mn3As2掺杂的多种Cd3As2纳米结构(高温区形成竹笋纳米线结构,低温区形成薄膜). 系统研究了掺杂对相组成、元素含量、微结构及热电性能的影响. 所有纳米结构的主相均为α相, 并伴有少量α′相, Mn3As2掺杂导致样品中出现α″相和Mn2As杂相. 电子能谱分析表明这些纳米结构中Mn的实际原子百分比约为0.02％—0.18％. 掺杂使薄膜的微观形貌从自组装菜花结构转变为贝壳结构,并使纳米线直径显著减小. 与薄膜相比, 竹笋纳米线结构的室温电导率提高一个数量级, 达到247—320 S/cm,这归因于更好的结晶质量和竹笋之间的纳米线相互连接形成了高导电网络, 导致更高的载流子浓度和迁移率. 竹笋纳米线结构的最大室温功率因子为0.144 mW/(m·K2), 是薄膜样品的14倍.
文献关键词：
热电性能;Cd3As2;化学气相沉积;纳米结构
中图分类号：
作者姓名：
陈上峰;孙乃坤;张宪民;王凯;李武;韩艳;吴丽君;岱钦
作者机构：
沈阳理工大学理学院,沈阳 110159;东北大学材料科学与工程学院,材料各向异性与织构教育部重点实验室,沈阳 110819
文献出处：
引用格式：
[1]陈上峰;孙乃坤;张宪民;王凯;李武;韩艳;吴丽君;岱钦-.Mn3As2掺杂Cd3As2纳米结构的制备及热电性能)[J].物理学报,2022(18):231-239
A类：
Mn3As2,3As2,Mn2As
B类：
Cd3As2,纳米结构,热电性能,高电子迁移率,热导率,空气稳定性,高气压,烧结技术,元素挥发,Cd1,xMnx,母合金,化学气相沉积,合金粉末,云母,高温区,成竹,竹笋,纳米线,线结,相组成,元素含量,电子能谱,能谱分析,微观形貌,自组装,菜花,花结,结构转变,贝壳,壳结构,电导率,高一,数量级,归因于,结晶质量,相互连接,高导电,导电网络,载流子浓度,功率因子,mW,K2
AB值：
0.340509
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