典型文献
采用Ga(In,As)P异变缓冲层的GaP/Si衬底上InAs量子阱
文献摘要：
本工作在GaP/Si衬底上基于In0.83Al0.17As异变缓冲层实现了InAs/In0.83Al0.17As量子阱的生长.研究了GaxIn1-xP和GaAsyP1-y递变缓冲层对量子阱结构材料性能的影响.采用GaxIn1-xP组分渐变缓冲层的样品X射线衍射倒易空间衍射峰展宽更小,表明样品中的失配位错更少.两个样品均在室温下实现了中红外波段的光致发光,而采用GaxIn1-xP组分渐变缓冲层的样品在不同温度下都具有更高的光致发光强度.这些结果表明在GaP/Si复合衬底上采用阳离子混合的渐变缓冲层对生长中红外InAs量子阱结构具有相对更优的效果.
文献关键词：
量子阱;GaP/Si;异变缓冲层;中红外
中图分类号：
作者姓名：
黄卫国;顾溢;金宇航;刘博文;龚谦;黄华;王庶民;马英杰;张永刚
作者机构：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所太赫兹技术重点实验室,上海200050;中国科学院大学,北京100049;中国科学院上海技术物理研究所传感技术联合国家重点实验室,上海200083;中国科学院上海技术物理研究所红外成像材料与器件重点实验室,上海200083;查尔姆斯理工大学微技术与纳米科学系,哥德堡SE-41296
文献出处：
引用格式：
[1]黄卫国;顾溢;金宇航;刘博文;龚谦;黄华;王庶民;马英杰;张永刚-.采用Ga(In,As)P异变缓冲层的GaP/Si衬底上InAs量子阱)[J].红外与毫米波学报,2022(01):253-261
A类：
异变缓冲层,GaxIn1,GaAsyP1
B类：
GaP,Si,衬底,InAs,量子阱,In0,83Al0,17As,xP,递变,结构材料,材料性能,展宽,失配,配位,位错,中红外波段,光致发光,发光强度,阳离子
AB值：
0.231692
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