典型文献
硅基GaN微腔制作及其激射特性(特邀)
文献摘要：
提出了一种新的Si衬底上GaN微盘谐振腔的制备方式,避免了传统Si基GaN器件中晶体质量较差以及外延层较厚对器件性能的影响.本工作中GaN的外延生长使用蓝宝石衬底,随后将外延层转移至硅衬底上进行微盘谐振腔的制备.外延生长时靠近衬底侧的GaN富缺陷层可使用减薄抛光的方式去除,并且通过简单湿法刻蚀二氧化硅牺牲层即可实现GaN微盘与Si衬底之间的空气间隙结构.基于较好的晶体质量与低损耗的谐振腔,实现了高Q值的Si基GaN微盘谐振腔低阈值激射,阈值能量低至5.2 nJ/pulse,Q值最高为10487.同时,器件具有较好的温度稳定特性,在100℃环境下也能维持低阈值激射,为大规模单片硅基光子集成提供了高性能的激光源.
文献关键词：
半导体器件与技术;微腔;氮化镓;硅;高品质因子;低阈值;高温工作
中图分类号：
作者姓名：
马立龙;谢敏超;欧伟;梅洋;张保平
作者机构：
厦门大学 电子科学与技术学院 微纳光电子研究室,福建 厦门 361005
文献出处：
引用格式：
[1]马立龙;谢敏超;欧伟;梅洋;张保平-.硅基GaN微腔制作及其激射特性(特邀))[J].光子学报,2022(02):55-63
A类：
半导体器件与技术
B类：
GaN,微腔,激射,特邀,Si,谐振腔,制备方式,晶体质量,外延层,较厚,器件性能,外延生长,蓝宝石衬底,移至,硅衬底,缺陷层,减薄,抛光,湿法刻蚀,二氧化硅,空气间隙,低损耗,低阈值,nJ,pulse,稳定特性,单片,硅基光子,光子集成,激光源,氮化镓,高品质因子,高温工作
AB值：
0.382653
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