典型文献
抑制或消除RC-IGBT回跳现象的技术发展概述
文献摘要：
逆导型绝缘栅双极型晶体管(RC-IGBT)以其良好的软关断特性、短路特性以及良好的功率循环特性等优点,成为现在半导体功率器件技术领域研究的热点.RC-IGBT在拥有众多优点的同时,最典型的问题就是电压回跳现象,如何抑制或消除器件开启初期固有的回跳现象是RC-IGBT器件领域的技术关键.通过对RC-IGBT领域的国内外专利申请进行整理、分析,具体介绍了解决RC-IGBT器件回跳问题的五个主要技术分支:引导IGBT区法、阻断电子电流法、强化集电极短路电阻法、超结结构法、绝缘分离法,并展示了相应的典型器件结构、工作原理及其技术效果,为完全消除RC-IGBT的回跳现象以提升器件整体性能指明了技术发展方向.
文献关键词：
绝缘栅双极型晶体管;逆导型;综述;回跳;技术分支;专利
中图分类号：
作者姓名：
杨贺
作者机构：
国家知识产权局专利局 电学部,北京 102200
文献出处：
引用格式：
[1]杨贺-.抑制或消除RC-IGBT回跳现象的技术发展概述)[J].电子元件与材料,2022(02):157-163
A类：
逆导,逆导型
B类：
RC,IGBT,回跳,发展概述,绝缘栅双极型晶体管,关断,短路特性,功率循环,循环特性,半导体功率器件,技术领域,压回,消除器,技术关键,专利申请,请进,主要技术,技术分支,断电,电流法,集电极,极短,电阻法,超结,结结,构法,缘分,分离法,器件结构,技术效果,全消,提升器,整体性能,技术发展方向
AB值：
0.36867
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