典型文献
一种部分超结型薄层SOI LIGBT器件的研究
文献摘要：
基于介质场增强(ENDIF)理论,提出了一种部分超结型薄硅层SOI横向绝缘栅双极型晶体管(PSJ SOILIGBT).分析了漂移区注入剂量和超结区域位置对器件耐压性能的影响,并在工艺流程中结合线性变掺杂技术和超结技术,使该器件实现了高垂直方向耐压和低导通电阻.测试结果表明,该器件的耐压达到816V,比导通电阻仅为12.5Ω·mm2.
文献关键词：
介质场增强理论;横向绝缘栅双极型晶体管;线性变掺杂技术;超结;击穿电压;比导通电阻
中图分类号：
作者姓名：
周淼;汤亮;何逸涛;陈辰;周锌
作者机构：
中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡 214035;株洲中车时代半导体有限公司,湖南株洲 412000;电子科技大学功率集成技术实验室,成都 610054;电子科技大学广东电子信息工程研究院,广东东莞 523000
文献出处：
引用格式：
[1]周淼;汤亮;何逸涛;陈辰;周锌-.一种部分超结型薄层SOI LIGBT器件的研究)[J].电子与封装,2022(09):74-79
A类：
LIGBT,ENDIF,横向绝缘栅双极型晶体管,SOILIGBT,线性变掺杂技术,816V,介质场增强理论
B类：
超结,薄层,基于介质,PSJ,漂移区,注入剂量,耐压性能,结技术,垂直方向,比导通电阻,mm2,击穿电压
AB值：
0.184019
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