典型文献
基于FET结构的MoS2器件的研究进展
文献摘要：
对带隙可调的二维层状半导体二硫化钼(MoS2)的材料特性以及基于MoS2薄膜的器件性能和应用进行了简单阐述,重点分析了多种MoS2场效应晶体管(FET)的结构特点,并对MoS2 FET的制备工艺、电学性能(载流子迁移率、电流开关比、亚阈值摆幅等)以及栅极介质层材料对器件性能的影响等进行了综述.在此基础上进一步总结了近年来国内外基于FET结构的MoS2光电器件及传感器的研究进展,分别对其结构、光响应度以及灵敏度等性能进行了分析讨论.最后,对MoS2薄膜制备以及基于FET结构的MoS2电子器件、光电器件和传感器未来的发展方向进行了展望.
文献关键词：
二硫化钼(MoS2);场效应晶体管(FET);光电器件;传感器;二维层状半导体
中图分类号：
作者姓名：
潘苏敏;黄玲琴;陶化文
作者机构：
江苏师范大学电气工程及自动化学院,江苏徐州 221000
文献出处：
引用格式：
[1]潘苏敏;黄玲琴;陶化文-.基于FET结构的MoS2器件的研究进展)[J].微纳电子技术,2022(03):210-217
A类：
B类：
FET,MoS2,带隙可调,二维层状半导体,二硫化钼,材料特性,器件性能,场效应晶体管,制备工艺,电学性能,载流子迁移率,开关比,亚阈值摆幅,栅极,光电器件,光响应度,分析讨论,薄膜制备,电子器件
AB值：
0.256139
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