典型文献
一种新型无电压折回现象的超结逆导型IGBT
文献摘要：
提出了一种新型无电压折回现象的超结逆导型绝缘栅双极型晶体管(RC-IGBT),并基于Sentaurus TCAD进行了电学特性仿真.提出的超结RC-IGBT通过超结的P柱将集电极N+区域与P+区域隔开,消除了传统超结RC-IGBT正向导通时存在的折回现象.与传统超结RC-IGBT结构相比,在导通电流密度为100A/cm2时,新结构的正向导通压降减少了 20.9％,反向导通压降减少了 20.7％,在相同正向导通压降(1.55V)下,新结构的关断损耗降低了 19.9％.
文献关键词：
逆导;超结;电压折回;IGBT;导通压降;关断损耗
中图分类号：
作者姓名：
吴毅;夏云;刘超;陈万军
作者机构：
电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都 610054
文献出处：
引用格式：
[1]吴毅;夏云;刘超;陈万军-.一种新型无电压折回现象的超结逆导型IGBT)[J].电子与封装,2022(09):64-68
A类：
电压折回,逆导,逆导型
B类：
无电,超结,IGBT,绝缘栅双极型晶体管,RC,Sentaurus,TCAD,电学特性,集电极,N+,P+,隔开,向导,通电,电流密度,100A,新结构,导通压降,同正,55V,关断损耗
AB值：
0.269449
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