典型文献
应用于弹载SiC MOSFET的RC吸收电路的设计与优化
文献摘要：
SiC MOSFET作为新兴的宽禁带半导体,目前在电源设计中被广泛用于取代Si IGBT.然而在弹载电源这类严苛的应用场合,SiC MOSFET关断暂态带来的超调振荡影响了电源输出的稳定性和品质,并且降低了装置的可靠性.在分析SiC MOSFET开关特性及四种无源吸收电路优缺点的基础上,提出了一种针对SiC MOSFET关断暂态的RC吸收电路优化设计方案,给出了系统效率最优情况下的电路参数范围,提升了吸收电路研发的效率.最后,通过400V/20A双脉冲测试电路进行了实验验证.
文献关键词：
SiC MOSFET;过应力;吸收电路;双脉冲测试
中图分类号：
作者姓名：
张晓娟;景博;张劼;王洋;李红波
作者机构：
西京学院机械工程学院,陕西 西安710123;空军工程大学航空工程学院,陕西 西安710038
文献出处：
引用格式：
[1]张晓娟;景博;张劼;王洋;李红波-.应用于弹载SiC MOSFET的RC吸收电路的设计与优化)[J].电子器件,2022(04):810-815
A类：
B类：
弹载,SiC,MOSFET,RC,吸收电路,设计与优化,宽禁带半导体,电源设计,IGBT,严苛,应用场合,关断,暂态,超调,开关特性,无源,电路优化,优化设计方案,系统效率,效率最优,参数范围,400V,20A,双脉冲测试,测试电路,过应力
AB值：
0.397164
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