典型文献
用于高压ESD保护的双向LDMOS_SCR结构
文献摘要：
基于横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)的可控硅结构(LDMOS_SCR)因其较强的单位面积电流处理能力和出色的高压特性,通常用于高压下的静电防护.通过将原本浮空的漏极N+分割为对称的P+、N+和P+结构,提出了一种基于LDMOS_SCR的双向防护器件.该器件具有低触发和高维持电压.通过降低形成在栅极区域底部的寄生双极晶体管的发射极注入效率,减少了 SCR固有的正反馈增益.基于TCAD进行仿真,实验结果表明,与传统的LDMOS_DDSCR相比,新型器件的触发电压从69.6 V降到48.5 V,维持电压从14.9 V提高到17 V,证明了提出的结构与传统LDMOS DDSCR器件相比具有出色的抗闩锁能力
文献关键词：
静电放电;维持电压;横向双扩散金属氧化物半导体;可控硅结构;TCAD仿真
中图分类号：
作者姓名：
孙浩楠;王军超;李浩亮;杨潇楠;张英韬
作者机构：
郑州大学信息工程学院,郑州450000
文献出处：
引用格式：
[1]孙浩楠;王军超;李浩亮;杨潇楠;张英韬-.用于高压ESD保护的双向LDMOS_SCR结构)[J].微电子学,2022(03):473-477,483
A类：
横向双扩散金属氧化物半导体,可控硅结构,高维持电压,DDSCR
B类：
ESD,LDMOS,单位面积,流处理,处理能力,出色,静电防护,浮空,N+,P+,防护器件,栅极,极区,寄生,双极晶体管,发射极,正反馈,反馈增益,TCAD,新型器件,触发电压,闩锁,静电放电
AB值：
0.284871
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
