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具有表面超结的横向绝缘栅双极晶体管研究
文献摘要：
提出了 一种基于体硅的表面超结横向绝缘栅双极晶体管(SSJ LIGBT).分析了工艺参数注入剂量和注入能量对器件性能的影响,基于耐压需求的考虑,设计并优化了 SSJ LIGBT器件及其终端.对该SSJ LIGBT进行了击穿特性、输出特性和转移特性的测试.测试结果表明,该SSJ LIGBT的耐压达到693 V,比导通电阻仅为6.45Ω·mm2.
文献关键词：
横向绝缘栅双极型晶体管;表面超结;终端设计;耐压;比导通电阻
中图分类号：
作者姓名：
周淼;倪晓东;何逸涛;陈辰;周锌
作者机构：
中国电子科技集团公团第五十八研究所,江苏无锡214035;株洲中车时代半导体有限公司,湖南株洲412000;电子科技大学功率集成技术实验室,成都610054;电子科技大学广东电子信息工程研究院,广东东莞523808
文献出处：
引用格式：
[1]周淼;倪晓东;何逸涛;陈辰;周锌-.具有表面超结的横向绝缘栅双极晶体管研究)[J].微电子学,2022(03):454-458
A类：
表面超结,LIGBT,横向绝缘栅双极型晶体管
B类：
绝缘栅双极晶体管,体硅,SSJ,注入剂量,注入能量,器件性能,耐压,击穿特性,输出特性,转移特性,比导通电阻,mm2,终端设计
AB值：
0.217434
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