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-种带曲率补偿的低温漂带隙基准源设计
文献摘要：
为满足高速、高精度射频电路的要求,设计了一款新型带高温曲率补偿的低温漂、高电源抑制比的带隙基准电压源.为避免运放的失调电压对基准源精度产生影响,电路没有采用运放结构生成基准电压.利用双极型晶体管基极-发射极电压VBE的负温度特性,在高温时对基准电压进行曲率补偿,减小基准电压的温漂.电路基于180nmBiCMOS工艺线,采用Cadence仿真验证.在-40～85℃温度范围内,5 V电源电压下,温度系数为5.7×10-6/℃,电源电压抑制比可达到-88dB.
文献关键词：
曲率补偿;低温漂;带隙基准;双极型晶体管
中图分类号：
作者姓名：
吴舒桐;孔玉礼;王祖锦
作者机构：
中国电子科技集团公司第五十八研究所,江苏无锡 214035;中国人民解放军海军七○一工厂,北京 100032
文献出处：
引用格式：
[1]吴舒桐;孔玉礼;王祖锦-.-种带曲率补偿的低温漂带隙基准源设计)[J].电子与封装,2022(10):61-65
A类：
180nmBiCMOS
B类：
曲率补偿,低温漂,带隙基准源,射频电路,高温曲,高电源抑制,电源抑制比,带隙基准电压源,运放,失调电压,结构生成,双极型晶体管,基极,发射极,VBE,负温度,温度特性,压进,进行曲,路基,工艺线,Cadence,仿真验证,电源电压,温度系数,压抑,88dB
AB值：
0.375509
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