典型文献
基于增强电子传输的双层MXene/半导体高性能n型薄膜晶体管
文献摘要：
电介质/半导体的界面工程是制备高性能有机场效应晶体管的关键.本工作提出采用MXene/半导体双层结构制备高性能n型晶体管,其中载流子的形成和调控发生在二氧化硅/半导体界面,同时高迁移率和长横向尺寸的MXene纳米片作为主要的电荷传输通道.通过调节MXene纳米片的互连度,优化了器件的电学性能.与单层N2200晶体管相比,MXene/N2200晶体管表现出显著增强的n型特性,包括提升100倍的场效应迁移率、104电流开关比以及0.64 V dec-1亚阈值摆幅.MXene/N2200晶体管的高性能归因于MXene纳米沟道的电负性和高迁移率.电负性显著增强了电子从N2200向MXene沟道的转移,而高迁移率使得电子有效传输至电极.MXene/p型半导体晶体管却表现出受抑制的p型性能,这是因为MXene纳米片具有高度电负性.此外,本文提出的双层MXene/n型半导体结构也具有良好的结构普适性和高性能优势.这些结果表明双层MXene/半导体结构有望应用于高性能n型晶体管的制备.
文献关键词：
中图分类号：
作者姓名：
严育杰;俞衽坚;高昌松;睢颖;邓云峰;陈惠鹏;郭太良
作者机构：
文献出处：
引用格式：
[1]严育杰;俞衽坚;高昌松;睢颖;邓云峰;陈惠鹏;郭太良-.基于增强电子传输的双层MXene/半导体高性能n型薄膜晶体管)[J].中国科学：材料科学（英文）,2022(11):3087-3095
A类：
N2200
B类：
强电,电子传输,MXene,薄膜晶体管,电介质,界面工程,有机场效应晶体管,双层结构,载流子,二氧化硅,高迁移率,横向尺寸,纳米片,电荷传输通道,互连,电学性能,开关比,dec,亚阈值摆幅,归因于,沟道,电负性,半导体晶体,性能优势
AB值：
0.232419
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
