典型文献
超结DMOSFET元胞区与终端区的耐压匹配优化设计
文献摘要：
雪崩耐量是表征超结双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管(SJ-DMOSFET)可靠性的重要指标.寻找提高SJ-DMOSFET雪崩耐量的方法一直是学术界和产业界的研究热点.通过对SJ-DMOSFET器件-电路联合仿真,深入分析了非钳位感性开关(UIS)过程中雪崩击穿点在元胞区和终端区之间的转移.结果表明元胞区和终端区的耐压匹配状况对SJ-DMOSFET的雪崩耐量具有显著影响.将元胞区耐压设计为略低于终端区耐压,是兼顾SJ-DMOSFET击穿电压和可靠性的最优方案.通过器件制作并测试,器件的雪崩耐量平均值由原来的0.65 J提高到0.89 J,验证了新设计的正确性.
文献关键词：
超结;雪崩耐量;元胞;终端区;击穿电压
中图分类号：
作者姓名：
王迎春;马捷;侯杰;刘进松;罗蕾;任敏;李泽宏
作者机构：
济南市半导体元件实验所,济南 250014;电子科技大学 电子科学与工程学院,成都 611731
文献出处：
引用格式：
[1]王迎春;马捷;侯杰;刘进松;罗蕾;任敏;李泽宏-.超结DMOSFET元胞区与终端区的耐压匹配优化设计)[J].半导体技术,2022(12):965-971
A类：
DMOSFET,雪崩耐量
B类：
超结,元胞,终端区,耐压,匹配优化,双扩散,金属氧化物半导体场效应晶体管,SJ,产业界,联合仿真,UIS,中雪,雪崩击穿,穿点,略低于,击穿电压,最优方案
AB值：
0.206433
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