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DSOI总剂量效应模型及背偏调控模型
文献摘要：
总剂量辐射效应会导致绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管(DSOI MOSFET)器件的阈值电压漂移、泄漏电流增大等退化特性.由于背栅端口的存在,SOI器件存在新的总剂量效应加固途径,对于全耗尽SOI器件,利用正背栅耦合效应,可通过施加背栅偏置电压补偿辐照导致的器件参数退化.本文研究了总剂量辐照对双埋氧层绝缘体上硅金属氧化物半导体场效应晶体管(DSOI MOSFET)总剂量损伤规律及背栅偏置调控规律,分析了辐射导致晶体管电参数退化机理,建立了DSOI晶体管总剂量效应模拟电路仿真器(SPICE)模型.模型仿真晶体管阈值电压与实测结果≤6 mV,同时根据总剂量效应模型给出了相应的背栅偏置补偿模型,通过晶体管背偏调控总剂量效应SPICE模型仿真输出的补偿电压与试验测试结果对比,N型金属氧化物半导体场效应晶体管(NMOSFET)的背偏调控模型误差为9.65％,P型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)为5.24％,该模型可以准确反映DSOI器件辐照前后阈值特性变化,为器件的背栅加固提供参考依据.
文献关键词：
双埋氧层绝缘体上硅;总剂量辐照;背偏调控;模型
中图分类号：
作者姓名：
王海洋;郑齐文;崔江维;李小龙;李豫东;李博;郭旗
作者机构：
中国科学院新疆理化技术研究所 中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室,新疆 乌鲁木齐 830011;新疆电子信息材料与器件重点实验室,新疆 乌鲁木齐 830011;中国科学院大学,北京 100049;中国科学院 微电子研究所,北京 100029
文献出处：
引用格式：
[1]王海洋;郑齐文;崔江维;李小龙;李豫东;李博;郭旗-.DSOI总剂量效应模型及背偏调控模型)[J].太赫兹科学与电子信息学报,2022(06):549-556
A类：
DSOI,背偏调控,双埋氧层绝缘体上硅,电路仿真器,PMOSFET
B类：
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AB值：
0.186927
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