典型文献
20nm金属氧化物半导体场效应晶体管的噪声特性分析
文献摘要：
传统短沟道的纳米MOSFET噪声主要为受抑制的散粒噪声,其次为热噪声;在建立器件的噪声模型时,并没有考虑栅极噪声源与源极噪声源二者之间的电荷耦合,其耦合效应会形成互相关噪声.实验测试了20 nm MOSFET的噪声,结果分析得到短沟道MOSFET的噪声主要为散粒噪声、热噪声和互相关噪声.其次,根据MOSFET的器件物理结构及特性推导了纳米MOSFET的互相关噪声公式.在此基础上,比较受抑制的散粒噪声、热噪声和互相关噪声随沟道长度、温度、源漏电压和栅极电压的变化关系,所得结论有助于提高MOSFET器件的工作效率、可靠性及寿命.
文献关键词：
MOSFET;互相关噪声;抑制散粒噪声;热噪声
中图分类号：
作者姓名：
贾晓菲;魏群;崔智军;丁兵;陈文豪
作者机构：
安康学院 电子与信息工程学院,陕西 安康 725000;西安电子科技大学 物理学院,陕西西安 710071;中国西南电子技术研究所,四川 成都 610063
文献出处：
引用格式：
[1]贾晓菲;魏群;崔智军;丁兵;陈文豪-.20nm金属氧化物半导体场效应晶体管的噪声特性分析)[J].电子元件与材料,2022(10):1060-1065
A类：
互相关噪声,抑制散粒噪声
B类：
20nm,金属氧化物半导体场效应晶体管,噪声特性,沟道,MOSFET,热噪声,噪声模型,噪声源,电荷,耦合效应,应会,实验测试,物理结构,道长,漏电,栅极电压,变化关系
AB值：
0.198839
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