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环境温度对SiC MOSFET的总剂量辐射效应影响
文献摘要：
开展不同温度下碳化硅(SiC)金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)总剂量效应研究.采用60Coγ射线对三款国内外生产的SiC MOSFET器件进行总剂量辐照试验,获得器件阈值电压、击穿电压、导通电阻、漏电流等参数分别在25℃,100℃,175℃下的辐射损伤特性,比较器件在不同温度下辐照后器件的退化程度.仿真实验结果表明,不同器件的阈值电压、静态漏电流以及亚阈特性等辐射损伤变化都表现出对环境温度的敏感性,而导通电阻、击穿电压等则相对不敏感.此外SiC MOSFET总剂量辐射响应特性对环境温度的敏感性,还随生产厂家的不同而呈现明显差异性.分析认为,在其他条件相同情况下,器件的阈值电压、静态漏电等参数的退化程度随着辐照温度的升高而降低,主要是由于高温辐照时器件发生隧穿退火效应引起.
文献关键词：
SiC金属氧化物半导体;总剂量效应;温度;静态参数
中图分类号：
作者姓名：
蒲晓娟;冯皓楠;梁晓雯;魏莹;余学峰;郭旗
作者机构：
中国科学院 特殊环境功能材料与器件重点实验室,新疆 乌鲁木齐 830011;中国科学院 新疆理化技术研究所,新疆 乌鲁木齐 830011;中国科学院大学,北京 100049
文献出处：
引用格式：
[1]蒲晓娟;冯皓楠;梁晓雯;魏莹;余学峰;郭旗-.环境温度对SiC MOSFET的总剂量辐射效应影响)[J].太赫兹科学与电子信息学报,2022(09):908-914
A类：
静态漏电流
B类：
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AB值：
0.264475
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