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一种低触发电压的两级防护SCR器件
文献摘要：
提出了一种用于降低触发电压的两级防护SCR(TSPSCR).在传统LVTSCR中植入P-ESD层,增设额外的二极管.因为P-ESD层的掺杂浓度较高,该器件能更早发生雪崩击穿而触发第一级泄流路径,从而开启第二级泄流路径.Sentaurus TCAD仿真结果表明,该器件的触发电压从传统器件的10.59 V降低至4.12 V,维持电压为1.25 V,1 V直流电压下漏电流仅为7.85 nA.优化后的TSPSCR适用于先进1 V工作电压的电路中.
文献关键词：
ESD;SCR;两级防护;触发电压;漏电流
中图分类号：
作者姓名：
张英韬;朱治华;范晓梅;毛盼;宋彬;许杞安;吴铁将;陈睿科;王耀;刘俊杰
作者机构：
郑州大学集成电路可靠性设计与静电防护实验室,郑州450000;西安理工大学 自动化与信息工程学院,西安710000;长鑫存储技术有限公司,合肥230000
文献出处：
引用格式：
[1]张英韬;朱治华;范晓梅;毛盼;宋彬;许杞安;吴铁将;陈睿科;王耀;刘俊杰-.一种低触发电压的两级防护SCR器件)[J].微电子学,2022(01):104-108
A类：
两级防护,TSPSCR,LVTSCR
B类：
触发电压,ESD,二极管,掺杂浓度,更早,雪崩击穿,第一级,泄流,流路,第二级,Sentaurus,TCAD,维持电压,直流电压,漏电流,nA,工作电压
AB值：
0.292523
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