典型文献
微LED显示基板CMP过程中铜/钛/TEOS的去除速率选择比优化
文献摘要：
微LED显示技术因其发光点小、响应速度快等优点而被誉为"终极显示技术",而芯片加工技术限制了其规模化应用.芯片加工过程中产生的碟形缺陷会严重影响芯片的发光特性和可靠性.采用化学机械抛光(CMP)方法对钛(Ti)作为阻挡层的微显示器基板进行有效的表面平坦化处理,发现引入柠檬酸钾(KCit)可以有效降低碟形缺陷深度.结果表明,在双氧水-柠檬酸钾体系下,可以将铜/钛/正硅酸乙酯(TEOS)去除速率选择比控制在1:1.9:1.7,最终修正后的碟型缺陷深度均在20 nm以下,满足工业应用要求.
文献关键词：
微LED;铜(Cu);钛(Ti);正硅酸乙酯(TEOS);柠檬酸钾(KCit);化学机械抛光(CMP)
中图分类号：
作者姓名：
谢顺帆;赵群;梅旭鲲;杨露瑶;何彦刚
作者机构：
河北工业大学电子信息工程学院,天津 300130;天津市电子材料与器件重点实验室,天津 300130
文献出处：
引用格式：
[1]谢顺帆;赵群;梅旭鲲;杨露瑶;何彦刚-.微LED显示基板CMP过程中铜/钛/TEOS的去除速率选择比优化)[J].半导体技术,2022(07):531-538
A类：
去除速率选择比,KCit
B类：
LED,基板,CMP,TEOS,显示技术,光点,响应速度快,被誉为,终极显示,加工技术,规模化应用,加工过程,碟形,发光特性,化学机械抛光,Ti,阻挡层,微显示,显示器,平坦化,柠檬酸钾,缺陷深度,双氧水,正硅酸乙酯,碟型,工业应用,应用要求
AB值：
0.339479
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