典型文献
面向MOCVD生长InAs/GaSb超晶格红外探测的InAs衬底表面制备
文献摘要：
采用全反射X射线荧光光谱(total reflection X-ray fluorescence,TXRF)和X射线光电子能谱(X-ray photo-electron spectroscopy,XPS)检测方法研究InAs衬底化学机械抛光后经过不同湿法化学溶液联合作用后衬底表面的金属杂质残留浓度和氧化物组分的变化.湿法化学清洗后的InAs表面检测到金属杂质Si,K和Ca,它们的浓度随溶液组合的变化而变化.金属杂质残留浓度较高的InAs衬底表面同时也测得较多粒径为80 nm的颗粒.提出了一种行之有效的InAs衬底湿化学清洗方法,可制备出金属杂质残留少、颗粒少、氧化层薄InAs衬底表面,此表面有利于MOCVD方法生长高质量InAs/GaSb超晶格红外探测器外延.
文献关键词：
砷化铟;衬底;表面清洗;全反射X射线荧光光谱;X射线光电子能谱
中图分类号：
作者姓名：
刘丽杰;赵有文;黄勇;赵宇;王俊;王应利;沈桂英;谢辉
作者机构：
中国科学院半导体研究所材料重点实验室北京市低维半导体材料与器件重点实验室,北京100083;中国科学院大学材料科学与光电技术学院,北京100049;中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米器件与应用重点实验室,江苏苏州215123
文献出处：
引用格式：
[1]刘丽杰;赵有文;黄勇;赵宇;王俊;王应利;沈桂英;谢辉-.面向MOCVD生长InAs/GaSb超晶格红外探测的InAs衬底表面制备)[J].红外与毫米波学报,2022(02):420-424
A类：
B类：
MOCVD,InAs,GaSb,超晶格,衬底,表面制备,全反射,荧光光谱,total,reflection,ray,fluorescence,TXRF,光电子能谱,photo,electron,spectroscopy,XPS,化学机械抛光,湿法,化学溶液,联合作用,金属杂质,残留浓度,化学清洗,洗后,表面检测,Si,多粒,湿化,清洗方法,氧化层,红外探测器,砷化铟,表面清洗
AB值：
0.375191
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