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无位错Te-GaSb(100)单晶抛光衬底的晶格完整性
文献摘要：
采用液封直拉(LEC)法批量生长的直径2英寸(1英寸=2.54 cm)n型Te-GaSb(100)单晶的位错腐蚀坑密度(EPD)通常低于300 cm-2,达到无位错水平.本文利用X射线摇摆曲线以及倒易空间图(RSM)对这种GaSb单晶抛光衬底的晶格完整性和亚表面损伤情况进行了分析表征,结果表明经过工艺条件优化的化学机械抛光处理,GaSb单晶衬底表面达到原子级光滑,不存在亚表面损伤层.利用分子束外延在这种衬底上可稳定生长出高质量的Ⅱ类超晶格外延材料并呈现出优异的红外探测性能.在此基础上,对CaSb衬底材料的物性、生长制备和衬底加工条件之间的内在关系进行了综合分析.
文献关键词：
GaSb;衬底;液封直拉法;晶格完整性;位错腐蚀坑密度;倒易空间图;亚表面损伤;化合物半导体
中图分类号：
作者姓名：
冯银红;沈桂英;赵有文;刘京明;杨俊;谢辉;何建军;王国伟
作者机构：
中国科学院半导体研究所,低维半导体材料与器件北京市重点实验室,中国科学院半导体材料科学重点实验室,北京 100083;中国科学院大学,北京 100049;如皋市化合物半导体产业研究所,如皋 226500;江苏秦烯新材料有限公司,如皋 226500;中国科学院大学材料科学与光电技术学院,北京 100049;中国科学院半导体研究所,超晶格与微结构国家重点实验室,北京 100083
文献出处：
引用格式：
[1]冯银红;沈桂英;赵有文;刘京明;杨俊;谢辉;何建军;王国伟-.无位错Te-GaSb(100)单晶抛光衬底的晶格完整性)[J].人工晶体学报,2022(06):1003-1011
A类：
晶格完整性,位错腐蚀坑密度,倒易空间图,CaSb,液封直拉法
B类：
Te,GaSb,LEC,英寸,EPD,摇摆曲线,RSM,伤情,分析表征,明经,工艺条件优化,化学机械抛光,抛光处理,单晶衬底,面达,原子级,亚表面损伤层,分子束外延,超晶格,格外,红外探测,探测性能,加工条件,内在关系,化合物半导体
AB值：
0.26232
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