典型文献
碳化硅晶体电化学机械抛光工艺研究
文献摘要：
针对碳化硅晶体抛光效率低的问题,研究碳化硅晶体的电化学机械抛光工艺,对比NaOH、NaNO3、H3PO43种电解液电化学氧化碳化硅晶体的效果.选用0.6 mol/L的NaNO3作为电化学机械抛光过程的电解液,使用金刚石–氧化铝混合磨粒,通过正交试验研究载荷、转速、电压、磨粒粒径对电化学机械抛光碳化硅晶体的表面质量和材料去除率的影响.采用优选的试验参数进行抛光试验,结果表明:在粗抛阶段可实现20.259μm/h的高效材料去除,在精密抛光阶段可获得碳化硅表面粗糙度Sa为0.408 nm的光滑表面.
文献关键词：
碳化硅;电化学机械抛光;电化学氧化;混合磨粒;材料去除率
中图分类号：
作者姓名：
王磊;吴润泽;牛林;安志博;金洙吉
作者机构：
大连理工大学, 精密与特种加工教育部重点实验室, 辽宁 大连 116024
文献出处：
引用格式：
[1]王磊;吴润泽;牛林;安志博;金洙吉-.碳化硅晶体电化学机械抛光工艺研究)[J].金刚石与磨料磨具工程,2022(04):504-510
A类：
碳化硅晶体,电化学机械抛光,H3PO43,混合磨粒
B类：
抛光工艺,抛光效率,NaOH,NaNO3,电解液,电化学氧化,光过,金刚石,氧化铝,粒粒,表面质量,材料去除率,试验参数,表面粗糙度,Sa
AB值：
0.12351
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