典型文献
掺杂硅和金属通孔结构电迁移对比研究
文献摘要：
对多种掺杂硅结构和金属通孔结构进行了电迁移测试.实验结果表明,在相同电流和温度下的掺杂单晶硅的电迁移性能更好,有金属硅化物的掺杂单晶硅阻值更稳定,有金属硅化物的掺杂多晶硅的电迁移性能优于金属的电迁移性能.而无金属硅化物的掺杂多晶硅由于载流子及焦耳热效应表现出更严重的阻值退化.分析了不同掺杂硅结构的电迁移失效机理,同时对无金属硅化物的多晶硅电迁移的阻值退化模型进行了量化分析并取得较好的拟合效果.
文献关键词：
单晶硅;多晶硅;金属;电迁移(EM);退化模型
中图分类号：
作者姓名：
范伟海
作者机构：
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司,上海 201203
文献出处：
引用格式：
[1]范伟海-.掺杂硅和金属通孔结构电迁移对比研究)[J].半导体技术,2022(05):386-390,420
A类：
迁移失效
B类：
通孔,孔结构,电迁移,迁移测试,单晶硅,迁移性能,金属硅化物,阻值,更稳,多晶硅,无金属,载流子,焦耳热,热效应,失效机理,退化模型,拟合效果,EM
AB值：
0.197706
相似文献
机标中图分类号，由域田数据科技根据网络公开资料自动分析生成，仅供学习研究参考。
