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高光谱成像用高帧频CMOS图像传感器
文献摘要：
针对高帧频、全局曝光和光谱平坦等成像应用需求,设计了一款高光谱成像用CMOS图像传感器.其光敏元采用PN型光电二极管,读出电路采用5T像素结构.采用列读出电路以及高速多通道模拟信号并行读出的设计方案来获得低像素固定图像噪声(FPN)和非均匀性抑制.芯片采用ASMC0.35μm三层金属两层多晶硅标准CMOS工艺流片,为了抑制光电二极管的光谱干涉效应,后续进行了光谱平坦化VAE特殊工艺,并对器件的光电性能进行了测试评估.电路测试结果符合理论设计预期,成像效果良好,像素具备积分可调和全局快门功能,最终实现的像素规模为512×256,像元尺寸为30 μm×30 μm,最大满阱电子为400ke-,FPN小于0.2％,动态范围为72 dB,帧频为450 f/s,相邻10 nm波段范围内量子效率相差小于10％,可满足高光谱成像系统对CMOS成像器件的要求.
文献关键词：
高光谱成像;CMOS图像传感器;全局快门;光谱干涉效应
中图分类号：
作者姓名：
陈世军;施永明;王欣;丁毅
作者机构：
中国科学院上海技术物理研究所中国科学院红外成像材料与器件重点实验室,上海200083;南通智能感知研究院,江苏南通226009
文献出处：
引用格式：
[1]陈世军;施永明;王欣;丁毅-.高光谱成像用高帧频CMOS图像传感器)[J].半导体光电,2022(01):116-121
A类：
ASMC0,光谱干涉效应,400ke
B类：
高光谱成像,高帧频,CMOS,图像传感器,曝光,应用需求,光敏,光电二极管,读出电路,5T,像素,多通道,模拟信号,图像噪声,FPN,非均匀性,两层,多晶硅,流片,平坦化,VAE,特殊工艺,光电性能,测试评估,电路测试,理论设计,成像效果,全局快门,像元尺寸,动态范围,dB,波段,内量子效率,光谱成像系统
AB值：
0.296842
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