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射频磁控溅射ITO薄膜对TOPCon太阳电池光电性能的影响
文献摘要：
通过射频(RF)磁控溅射分别在光学玻璃基底上和多晶硅薄膜层上沉积了氧化铟锡(ITO)薄膜,采用Hall效应测试仪测试了ITO薄膜的电阻率和载流子浓度等参数,研究溅射功率和溅射时间等参数对ITO薄膜的光电特性影响.测试多晶Si对称结构沉积ITO薄膜前后及退火后的隐开路电压和反向饱和电流密度等参数,研究ITO薄膜对n型晶硅太阳电池钝化接触的影响.研究结果表明:在纯氩气氛围下、溅射功率为200 W、溅射时间为15 min、转速为10 r/min、工作气压为1 Pa,在250℃退火10 min条件下,ITO薄膜光电性能最佳,退火后的电阻率为2.863×10-4 Ω·cm,退火后的隐开路电压为721 mV,n型隧道氧化物钝化接触(TOPCon)太阳电池平均光电转换效率为23.6％.
文献关键词：
隧道氧化物钝化接触(TOPCon)太阳电池;射频(RF)磁控溅射;氧化铟锡(ITO)薄膜;多晶Si;退火
中图分类号：
作者姓名：
郭永刚;王冬冬;陈丹;石惠君;张敏;李得银
作者机构：
青海黄河上游水电开发有限责任公司太阳能电池及组件研发实验室,西宁810000;青海黄河上游水电开发有限责任公司西安太阳能电力分公司,西安710100
文献出处：
引用格式：
[1]郭永刚;王冬冬;陈丹;石惠君;张敏;李得银-.射频磁控溅射ITO薄膜对TOPCon太阳电池光电性能的影响)[J].微纳电子技术,2022(01):19-24,83
A类：
隐开路电压
B类：
射频磁控溅射,ITO,TOPCon,太阳电池,光电性能,RF,光学玻璃,玻璃基,多晶硅薄膜,膜层,氧化铟锡,Hall,测试仪,电阻率,载流子浓度,溅射功率,溅射时间,光电特性,Si,对称结构,退火,饱和电流,电流密度,钝化接触,氩气氛围,围下,工作气压,Pa,mV,光电转换效率
AB值：
0.270393
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