典型文献
n型单晶硅片的电阻率和扩散方阻对IBC太阳电池电性能的影响
文献摘要：
叉指背接触式(IBC)太阳电池因正面没有金属栅线遮挡,具有较高的短路电流,且组件外观更加美观.但由于IBC太阳电池正负电极在背面交叉式分布,在制备过程中需要采用光刻掩模技术进行隔离,难以实现大规模生产.采用Quokka软件仿真模拟了电阻率和扩散方阻对n型IBC太阳电池效率的影响,并对不同电阻率和扩散方阻的电池片进行了实验验证,从n型单晶硅片电阻率的选择和扩散工艺优化方面为IBC太阳电池的规模化生产提供了理论基础.实验结果表明,电阻率为3～5 Ω·cm、扩散方阻为70 Ω/□时,小批量生产的IBC太阳电池平均光电转换效率可达23.73％,开路电压为693 mV,短路电流密度为42.44 mA/cm2,填充因子为80.69％.
文献关键词：
叉指背接触式(IBC)太阳电池;单晶硅;扩散方阻;光刻掩模技术;光电转换效率
中图分类号：
作者姓名：
刘洪东;宋标;高艳飞;董忠吉;屈小勇;高嘉庆;张兴发;杨凯舜
作者机构：
青海黄河上游水电开发有限责任公司西宁太阳能电力分公司,西宁810000;青海黄河上游水电开发有限责任公司西安太阳能电力分公司,西安710100
文献出处：
引用格式：
[1]刘洪东;宋标;高艳飞;董忠吉;屈小勇;高嘉庆;张兴发;杨凯舜-.n型单晶硅片的电阻率和扩散方阻对IBC太阳电池电性能的影响)[J].微纳电子技术,2022(02):118-124
A类：
扩散方阻,光刻掩模技术,Quokka
B类：
单晶硅片,电阻率,IBC,电性能,接触式,遮挡,加美,正负,负电极,背面,面交,制备过程,难以实现,规模生产,软件仿真模拟,太阳电池效率,扩散工艺,规模化生产,小批量生产,光电转换效率,开路电压,mV,短路电流密度,mA,填充因子
AB值：
0.199928
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