典型文献
一种具有高击穿电压和低导通电阻的新型鳍状栅极LDMOS
文献摘要：
设计了一种具有新型鳍状栅极结构的LDMOS功率开关器件(FG-LDMOS),该器件在导电沟道处纵向刻蚀一组浅沟槽,再经热氧化后填充作为场板的多晶硅.鳍状栅极结构在不改变器件尺寸情况下,增大了沟道的有效宽度,增强了场板效应.通过Silvaco TCAD仿真验证,结果表明FG-LDMOS较传统LDMOS具有更好的电学特性,如击穿电压提高了25％达到100 V,比导通电阻Ron.sp降低了25％至2.68 mΩ/cm2,品质因数FOM提高了94.5％到3.58 MW/cm2.此外该FG-LDMOS拥有优异的高频开关特性,其栅漏电容CGD降到了0.46×10-16 F/μm,跨导gm升至0.26 mS.
文献关键词：
鳍状栅极;击穿电压;比导通电阻;Silvaco TCAD
中图分类号：
作者姓名：
蒋志林;王旭锋;于平平;姜岩峰
作者机构：
江南大学电子工程系,物联网技术应用教育部工程研究中心,江苏 无锡214122
文献出处：
引用格式：
[1]蒋志林;王旭锋;于平平;姜岩峰-.一种具有高击穿电压和低导通电阻的新型鳍状栅极LDMOS)[J].电子器件,2022(01):7-12
A类：
鳍状栅极
B类：
击穿电压,LDMOS,FG,沟道,刻蚀,浅沟,沟槽,再经,热氧化,充作,场板,多晶硅,有效宽度,Silvaco,TCAD,仿真验证,电学特性,比导通电阻,Ron,sp,品质因数,FOM,MW,开关特性,漏电,CGD,gm,mS
AB值：
0.361194
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