典型文献
一种具有多晶硅二极管栅极结构的槽栅IGBT设计
文献摘要：
为改善传统槽栅IGBT结构开启损耗和电磁干扰噪声两种电学参数间的矛盾关系,在N型Poly栅极和槽栅底部之间引入P型Poly栅极,提出了一种具有多晶硅二极管栅极结构的槽栅IGBT结构(PDG-TIGBT),并实现了工艺制程的设计.多晶硅栅结构中的低掺杂P型Poly栅极与漂移区相互耗尽形成栅内耗尽电容,在较高的集电极电压下可将器件密勒电容CGC降低70.7％,并将槽栅底部电位Vacc抬升146％.密勒电容的减小和槽栅底部电位的提升可有效优化IGBT开启特性与噪声特性的折中关系,仿真结果表明:相较于传统槽栅结构,PDG-TIGBT有效地抑制了电磁干扰噪声对器件电学性能的影响.在开启瞬态,PDG-TIGBT的槽栅底部电位增长速度dVacc/dt减小23.5％,集电极电流变化率最大值dICE/dt(max)减小45.8％.在开启损耗EON保持一致的前提下,PDG-TIGBT的dICE/dt(max)减小了84.2％,dVKA/dt(max)下降了44.4％.
文献关键词：
槽栅IGBT;多晶二极管;密勒电容;电磁干扰
中图分类号：
作者姓名：
王波;胡汶金;赵一尚;李泽宏;任敏
作者机构：
川投信息产业集团有限公司, 四川 成都 610000;电子科技大学 电子薄膜与集成器件国家重点实验室,四川 成都 610054
文献出处：
引用格式：
[1]王波;胡汶金;赵一尚;李泽宏;任敏-.一种具有多晶硅二极管栅极结构的槽栅IGBT设计)[J].电子元件与材料,2022(08):834-841
A类：
TIGBT,硅栅,Vacc,dVacc,dICE,dVKA,多晶二极管
B类：
多晶硅,栅极,电磁干扰噪声,电学参数,数间,矛盾关系,Poly,PDG,制程,漂移区,耗尽,内耗,集电极,密勒电容,CGC,抬升,有效优化,开启特性,噪声特性,折中,电学性能,瞬态,增长速度,dt,电极电流,电流变化率,max,EON,保持一致
AB值：
0.256729
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