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硅基沟槽功率器件漏电检测及异常分析
文献摘要：
为实现硅基沟槽功率器件的快速异常处理,采用了EMMI/FIB-SEM测试方法快速检测沟槽势垒肖特基二极管电性及结构失效,阐述了多晶硅淀积过程中异常导致的漏电分析过程及处理方法.
文献关键词：
功率器件;漏电测试;沟槽工艺;多晶硅沉积
中图分类号：
作者姓名：
金磊;魏唯;陈龙;陈章隆;范江华;巩小亮
作者机构：
中国电子科技集团公司第四十八研究所,长沙 410111
文献出处：
引用格式：
[1]金磊;魏唯;陈龙;陈章隆;范江华;巩小亮-.硅基沟槽功率器件漏电检测及异常分析)[J].电子工业专用设备,2022(04):39-42,61
A类：
EMMI,沟槽工艺,多晶硅沉积
B类：
硅基,功率器件,漏电检测,异常分析,异常处理,FIB,快速检测,势垒,肖特基二极管,结构失效,常导,电分析,漏电测试
AB值：
0.325291
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