典型文献
一种改善内部高速振荡器低温良率的工艺方法
文献摘要：
MCU芯片内部高速振荡器(HRC)的低温度敏感性对其在控制领域的应用至关重要,通过优化晶圆制造工艺来降低温度敏感性提升良率具有重要的意义.通常晶圆上有源区的图形密度差异会引起大块浅沟槽隔离区域的碟形化,在后续的多晶硅蚀刻步骤中引入有源区损伤,进而使器件的实际电性参数偏离预期值,最后使低温条件下HRC频率精度降低.本文通过在晶圆的制作工艺中,增加浅沟槽隔离化学机械研磨步骤后氮化硅剩余厚度来减少大块浅沟槽隔离区域的碟形化,同时在多晶硅光刻步骤中减少抗反射涂层厚度去改善抗反射涂层厚度的均一性,最后在多晶硅蚀刻步骤中相应的减少蚀刻时间去避免过蚀刻,进而可以有效地改善有源区损伤.通过这种工艺优化方式,低温晶圆级探针(CP)测试时HRC频率精度分布更集中并且接近目标频率,有效提升了在低温条件下HRC的频率精度,晶圆边缘HRC良率提升可以达到1％.
文献关键词：
内部高速振荡器;温度敏感性;浅沟槽隔离化学机械研磨;有源区损伤;多晶硅光刻
中图分类号：
[2]
交通运输（U）
/
公路运输（U4）
/
道路工程（U41）
/
路基、路面工程（U416）
/
路面工程（U416.2）
/
路面：按使用材料分（U416.21）
/
沥青路面（U416.217）
作者姓名：
魏代龙
作者机构：
小华半导体有限公司
文献出处：
引用格式：
[1]魏代龙-.一种改善内部高速振荡器低温良率的工艺方法)[J].中国集成电路,2022(06):74-77
A类：
内部高速振荡器,有源区损伤,浅沟槽隔离化学机械研磨,多晶硅光刻
B类：
温良,工艺方法,MCU,HRC,温度敏感性,控制领域,晶圆制造,制造工艺,来降,密度差,大块,隔离区,碟形,蚀刻,电性参数,预期值,低温条件,制作工艺,氮化硅,抗反射,涂层厚度,均一性,优化方式,晶圆级,CP,良率提升
AB值：
0.187985
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