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低表面浓度磷掺杂的高方阻P-N结发射极制备工艺
文献摘要：
制备P-N结发射极的常规扩散工艺主要包括预淀积和高温推阱两个步骤.本文采用在高温推阱之后施加一步保温过程的工艺方案,在p型多晶硅片上制备了低表面浓度磷掺杂的高方阻发射极,研究了不同保温温度对P-N结发射极的方阻和磷原子掺杂分布的影响.结果表明,当完成高温推阱后,在650～750℃温度范围内施加保温工艺所得P-N结的方阻值反向升高,同时二次离子质谱(SIMS)测试结果表明,硅片表层区域的磷原子掺杂浓度相应降低.与常规扩散工艺相比,采用在700℃下保温15 min时所得P-N结的方阻升高约3.2Ω/□,所得相应太阳能电池光电转换效率Eff达到18.69％,比产线工艺提高约0.23％.
文献关键词：
太阳能电池;P-N结;磷掺杂;扩散;掺杂浓度;光电转换;转换效率
中图分类号：
作者姓名：
李旺;唐鹿;田娅晖;薛飞;辛增念;潘胜浆
作者机构：
江西科技学院协同创新中心,南昌 330098;宁波山迪光能技术有限公司,余姚 315380
文献出处：
引用格式：
[1]李旺;唐鹿;田娅晖;薛飞;辛增念;潘胜浆-.低表面浓度磷掺杂的高方阻P-N结发射极制备工艺)[J].人工晶体学报,2022(01):132-138
A类：
B类：
表面浓度,磷掺杂,方阻,结发,发射极,制备工艺,扩散工艺,工艺方案,多晶硅,硅片,保温温度,原子掺杂,阻值,二次离子质谱,SIMS,掺杂浓度,太阳能电池,光电转换效率,Eff
AB值：
0.30387
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