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n型IBC太阳电池选择性背表面场工艺
文献摘要：
为进一步提升n型叉指背接触(IBC)太阳电池的光电转换效率,采用激光掺杂方式形成选择性背表面场结构,研究了磷扩散和激光掺杂工艺对IBC太阳电池钝化性能和接触性能的影响.实验结果表明,在磷扩散的沉积和退火阶段均通入POCL3,且退火温度为680℃、激光掺杂功率为30 W时,重掺杂区域的隐开路电压平均值能够保持在695 mV,暗饱和电流密度为17 fA/cm2.未激光掺杂区域的隐开路电压平均值达到715 mV,暗饱和电流密度为10 fA/cm2.在面积为274.15 cm2的n型单晶硅片上制备的IBC太阳电池最高光电转换效率达到24.37％,平均光电转换效率达到24.25％,对应的短路电流为11.661 A,开路电压为0.701 V,填充因子为 81.33％.
文献关键词：
叉指背接触(IBC)太阳电池;选择性背表面场;磷扩散;激光掺杂;光电转换效率
中图分类号：
作者姓名：
吴翔;高嘉庆;屈小勇;李跃恒;刘洪东
作者机构：
青海黄河上游水电开发有限责任公司西安太阳能电力分公司,西安 710100;青海黄河上游水电开发有限责任公司西宁太阳能电力分公司,西宁 810000
文献出处：
引用格式：
[1]吴翔;高嘉庆;屈小勇;李跃恒;刘洪东-.n型IBC太阳电池选择性背表面场工艺)[J].微纳电子技术,2022(11):1234-1241
A类：
选择性背表面场,激光掺杂,磷扩散,POCL3,隐开路电压
B类：
IBC,太阳电池,光电转换效率,掺杂工艺,钝化性能,接触性能,退火温度,压平,mV,饱和电流,电流密度,fA,单晶硅片,短路电流,填充因子
AB值：
0.14752
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