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混合模式电应力损伤对SiGe HBT器件1/f噪声特性的影响研究
文献摘要：
研究了混合模式应力损伤对SiGe HBT器件直流电性能的影响,对比了混合模式损伤前后器件1/f噪声特性的变化.结果表明,在SiGe HBT器件中,混合模式损伤在Si/SiO2界面产生界面态缺陷Pb,导致小注入下基极电流增加;H原子对多晶硅晶界悬挂键的钝化作用引起中等注入区基极电流减小,导致电流增益增强.混合模式损伤缺陷位于硅禁带宽度内本征费米能级附近,虽然使基区SRH复合电流增加,却不会改变器件的低频噪声特性.
文献关键词：
1/f噪声;SiGe HBT;热载流子;界面态;混合模式损伤
中图分类号：
作者姓名：
马羽;唐新悦;罗婷;易孝辉;张培健
作者机构：
中电科技集团重庆声光电有限公司,重庆400060;模拟集成电路国家级重点实验室,重庆400060
文献出处：
引用格式：
[1]马羽;唐新悦;罗婷;易孝辉;张培健-.混合模式电应力损伤对SiGe HBT器件1/f噪声特性的影响研究)[J].微电子学,2022(05):905-909
A类：
混合模式损伤
B类：
应力损伤,SiGe,HBT,噪声特性,直流电,电性能,SiO2,界面态,Pb,小注,基极,多晶硅,晶界,悬挂,钝化作用,注入区,致电,电流增益,缺陷位,禁带宽度,费米能级,基区,SRH,低频噪声,热载流子
AB值：
0.341187
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