典型文献
基于热成像的GaN HEMT热阻测量
文献摘要：
热阻的准确对功率器件可靠性评价有非常大的影响.利用红外热成像和反射率热成像两种方法,对GaN HEMT器件开展了基于热成像的热阻测试研究.根据GaN材料在不同波长下反射率热校准系数的差异,采用不同波长光源对其进行了测量.反射率热成像测试采用365nm LED作为光源,获得约0.3μm测量空间分辨率的热成像结果.对比测试结果,两种方法的热阻结果接近.分析原因,由于红外热成像测试时,器件温度更高,管壳和衬底材料的热导率降低,增大了器件的热阻值,抵消了对峰值结温测量结果的影响.
文献关键词：
GaN HEMT;热阻;热成像;热反射率
中图分类号：
作者姓名：
孙明;王爽;黄东巍;周钦沅
作者机构：
中国电子技术标准化研究院,北京 100176
文献出处：
引用格式：
[1]孙明;王爽;黄东巍;周钦沅-.基于热成像的GaN HEMT热阻测量)[J].电子元器件与信息技术,2022(01):3-5
A类：
热反射率
B类：
GaN,HEMT,功率器件,可靠性评价,红外热成像,热阻测试,测试研究,校准系数,光源,试采,365nm,LED,测量空间,空间分辨率,对比测试,分析原因,管壳,衬底,热导率,阻值,抵消,结温测量
AB值：
0.35799
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