典型文献
电离总剂量效应对HfO2栅介质经时击穿特性影响
文献摘要：
针对纳米金属-氧化物-半导体(MOS)器件中采用的高介电常数HfO2栅介质,开展电离总剂量效应对栅介质经时击穿特性影响的研究.以HfO2栅介质MOS电容为研究对象,进行不同栅极偏置条件下60Co-γ射线的电离总剂量辐照试验,对比辐照前后MOS电容的电流-电压、电容-电压以及经时击穿特性的测试结果.结果显示,不同的辐照偏置条件下,MOS电容的损伤特性不同.正偏辐照下,低栅压下的栅电流显著增大,电容电压特性的斜率降低;零偏辐照下,正向高栅压时栅电流和电容均显著增大;负偏辐照下,栅电流均有增大,正向高栅压下电容增大,且电容斜率降低.3种偏置下,电容的经时击穿电压均显著减小.该研究为纳米MOS器件在辐射环境下的长期可靠性研究提供了参考.
文献关键词：
电离总剂量效应;高k栅介质;经时击穿效应;辐射陷阱电荷
中图分类号：
作者姓名：
魏莹;崔江维;蒲晓娟;崔旭;梁晓雯;王嘉;郭旗
作者机构：
中国科学院 特殊环境功能材料与器件重点实验室,新疆 乌鲁木齐 830011;中国科学院 新疆理化技术研究所,新疆 乌鲁木齐 830011;中国科学院大学,北京 100049
文献出处：
引用格式：
[1]魏莹;崔江维;蒲晓娟;崔旭;梁晓雯;王嘉;郭旗-.电离总剂量效应对HfO2栅介质经时击穿特性影响)[J].太赫兹科学与电子信息学报,2022(09):903-907
A类：
电离总剂量效应,辐照偏置,经时击穿效应,辐射陷阱电荷
B类：
HfO2,栅介质,击穿特性,纳米金属,MOS,介电常数,栅极偏置,偏置条件,60Co,总剂量辐照,辐照试验,损伤特性,照下,电容电压,电压特性,零偏,时栅,击穿电压,辐射环境,可靠性研究
AB值：
0.218552
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