典型文献
GaN HEMT微波功率器件的击穿特性研究
文献摘要：
本文使用TCAD工具对AIGaN/GaN HEMT微波功率器件进行电学仿真,在其基本结构上分别引入栅场板、一重源场板、双重源场板结构,并优化了场板结构,使器件的击穿电压得到了提高.本文对多重场板结构器件的相关参数进行了优化,优化后的栅场板长度为0.25μm、一重源场板长度为0.6μm、二重源场板长度为0.2μm,得到了击穿电压为110V的GaN HEMT微波功率器件,相较于无场板结构提升了22％.
文献关键词：
AIGaN/GaN HEMT;场板结构;击穿特性;TCAD
中图分类号：
作者姓名：
周国友;陆志航;葛明昌
作者机构：
合肥工业大学,安徽合肥,230009
文献出处：
引用格式：
[1]周国友;陆志航;葛明昌-.GaN HEMT微波功率器件的击穿特性研究)[J].电子元器件与信息技术,2022(08):44-47,56
A类：
AIGaN,源场板结构
B类：
HEMT,微波功率,功率器件,击穿特性,TCAD,电学,基本结构,击穿电压,压得,重场,二重,110V,结构提升
AB值：
0.180606
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