典型文献
半导体包封同步氧化还原技术
文献摘要：
在半导体封装制程中,封装材料的防氧化一直是一大难题.尽管我们半导体组装环境使用高净化厂房,同时控制封装环境的氧含量,但半导体产品因氧化导致的可靠性问题依然很严峻,特别包封工序是以芯片为中心的核心结构由"裸身"到"隐身"的最后一道重要关口,技术矛盾交汇点尤其突出.探索如何从半导体封装工艺制程预防氧化对提高半导体制造技术水平有积极意义,该文通过对现有工艺缺陷进行剖析,提出在产品包封工步中实施半导体包封同步氧化还原技术,对该领域问题提供具体的创新性的解决方案.
文献关键词：
氧化;可靠性;防氧化;分层;氧化还原
中图分类号：
作者姓名：
刘红军;徐赛;王赵云;任尚
作者机构：
长电科技(宿迁)有限公司,江苏宿迁223800
文献出处：
引用格式：
[1]刘红军;徐赛;王赵云;任尚-.半导体包封同步氧化还原技术)[J].电子质量,2022(09):55-58
A类：
裸身
B类：
包封,氧化还原,半导体封装,制程,封装材料,防氧化,净化厂,厂房,氧含量,很严,心结,隐身,重要关口,技术矛盾,交汇点,封装工艺,半导体制造,制造技术,工艺缺陷,陷进,工步
AB值：
0.359215
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